回歸！英特爾攜軟銀集團開發新一代記憶體

[NOWnews今日新聞] 英特爾宣布與軟銀集團旗下子公司SAIMEMORY簽署合作協議，共同開發名為Z-Angle Memory的新型記憶體技術（簡稱ZAM計畫），推動新一代記憶體技術，滿足AI與高效能運算（HPC）日益增長的需求，雙方預計於今年第一季啟動營運，2027年產品亮相。

軟銀旗下子公司SAIMEMORY總部位於日本東京，正開發堆疊式DRAM架構，其性能超越現有的高頻寬記憶體標準，大幅提升記憶體容量、顯著降低功耗，並改進封裝能力，解決AI系統擴展過程中的瓶頸。

英特爾於此次合作中擔任技術、創新及標準化的合作夥伴，SAIMEMORY則提供技術創新並主導ZAM商用化進程。雙方預計於2026年第一季啟動營運、2027年推出原型產品，並於2030年實現商用化。

SAIMEMORY的技術架構奠基於「先進記憶體技術（the Advanced Memory Technology, AMT）」研發計畫，該計畫由美國能源部（DOE）及國家核安全管理局（NNSA）發起，並由桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利佛摩國家實驗室與洛斯阿拉莫斯國家實驗室共同推動。英特爾早期在先進記憶體技術研發計畫的資助下進行研發，為堆疊式DRAM概念提供關鍵的效能實證。英特爾也推動了下一代DRAM鍵合計畫，在延遲和能耗更低的情況下，實現更高DRAM密度與頻寬的可能性。

英特爾院士暨英特爾政府技術部技術長Joshua Fryman表示，英特爾的下一代DRAM鍵合計畫展示了創新的記憶體架構與革命性的組裝方式，顯著提升DRAM性能、降低功耗，並優化記憶體成本。標準記憶體架構已無法滿足AI的需求，因此下一代DRAM鍵合計畫定義了一套全新的方法，讓這項技術有望在未來十年獲得更廣泛的應用。

英特爾將利用過去參與美國能源部先進記憶體技術計畫的技術積累，支持與SAIMEMORY的ZAM計畫。從先進記憶體技術研發計畫轉型至ZAM計畫，不僅強化美日技術合作的信任基礎，也加速了從國家實驗室研究邁向全球市場布署的進程。

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